Table 9: Component-to-Module DQ Map (PCB 1328) – Back
Component
Reference
Number
Component
DQ Module DQ
Module Pin
Number
Component
Reference
Number
Component
DQ Module DQ
Module Pin
Number
U21 0 59 115 U22 0 50 105
1 56 108 1 49 100
2 58 114 2 48 99
3 57 109 3 51 106
U23 0 41 91 U24 0 33 82
1 42 96 1 35 88
2 40 90 2 32 81
3 43 97 3 34 87
U26 0 CB0 39 U27 0 24 30
1 CB2 45 1 26 36
2 CB1 40 2 31 31
3 CB3 46 3 37 37
U28 0 16 21 U29 0 9 13
1 18 27 1 11 19
2 17 22 2 8 12
3 19 28 3 10 18
U30 0 6 128 U31 0 61 228
1 4 122 1 63 234
2 7 129 2 60 227
3 5 123 3 62 233
U32 0 55 225 U33 0 45 210
1 53 219 1 46 215
2 54 224 2 44 209
3 52 218 3 47 216
U34 0 39 207 U35 0 CB7 165
1 36 200 1 CB5 159
2 38 206 2 CB6 164
3 37 201 3 CB4 158
U36 0 30 155 U37 0 23 147
1 28 149 1 21 141
2 31 156 2 22 146
3 29 150 3 20 140
U38 0 14 137 U39 0 1 4
1 12 131 1 2 9
2 15 138 2 0 3
3 13 132 3 3 10
8GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR3 RDIMM
DQ Maps
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Functional Block Diagram
Figure 2: Functional Block Diagram
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U12
U39
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U1
U30
DM CS# DQS DQS#
DQS0
DQS0#
DQS9
DQS9#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U2
U29
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U13
U38
DM CS# DQS DQS#
DQS1
DQS1#
DQS10
DQS10#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U3
U28
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U14
U37
DM CS# DQS DQS#
DQS2
DQS2#
DQS11
DQS11#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U4
U27
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U15
U36
DM CS# DQS DQS#
DQS3
DQS3#
DQS12
DQS12#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
CB0
CB1
CB2
CB3
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U5
U26
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
CB4
CB5
CB6
CB7
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U16
U35
DM CS# DQS DQS#
DQS8
DQS8#
DQS17
DQS17#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U8
U24
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U17
U34
DM CS# DQS DQS#
DQS4
DQS4#
DQS13
DQS13#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U9
U23
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U18
U33
DM CS# DQS DQS#
DQS5
DQS5#
DQS14
DQS14#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U10
U22
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U19
U32
DM CS# DQS DQS#
DQS6
DQS6#
DQS15
DQS15#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
U11
U21
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
ZQ
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ
DQ
DQ
DQ
U20
U31
DM CS# DQS DQS#
DQS7
DQS7#
DQS16
DQS16#
RS0#
RS1#
ZQ
ZQ
ZQ
ZQ
ZQ
ZQ
ZQ
ZQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
ZQ
ZQ
ZQ
ZQ
ZQ
ZQ
ZQ
ZQ
ZQ
ZQ
R
e
g
i
s
t
e
r
a
n
d
P
L
L
S0#
S1#
BA[2:0]
A[15:0]
RAS#
CAS#
WE#
CKE0
CKE1
ODT0
ODT1
Par_In
RESET#
CK0
CK0#
RS0#: Rank 0
RS1#: Rank 1
RBA[2:0]: DDR3 SDRAM
RA[14:0]: DDR3 SDRAM
RRAS#: DDR3 SDRAM
RCAS#: DDR3 SDRAM
RWE#: DDR3 SDRAM
RCKE0: Rank 0
RCKE1: Rank 1
RODT0: Rank 0
RODT1: Rank 1
Err_Out#
U7
V
REFCA
V
SS
DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAM
V
DD
DDR3 SDRAM
V
DDSPD
SPD EEPROM/
Temperature sensor
V
TT
DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAM
V
REFDQ
CK
CK#
DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAM
Clock, control, command, and address line terminations:
Rank 0: U1–U5, U8–U20
Rank 1: U21–U38
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
RS#[1:0], RCKE[1:0], RA[14:0],
RRAS#, RCAS#, RWE#,
RODT[1:0], RBA[2:0]
DDR3
SDRAM
V
TT
CK
CK#
DDR3
SDRAM
V
DD
U6
A0
SPD EEPROM/
Temperature sensor
A1 A2
SA0 SA1
SDA
SCL
EVT
EVENT#
SA2
Note:
1. The ZQ ball on each DDR3 component is connected to an external 240Ω ±1% resistor
that is tied to ground. It is used for the calibration of the component’s ODT and output
driver.
8GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR3 RDIMM
Functional Block Diagram
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11
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
© 2011 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
General Description
DDR3 SDRAM modules are high-speed, CMOS dynamic random access memory mod-
ules that use internally configured 8-bank DDR3 SDRAM devices. DDR3 SDRAM mod-
ules use DDR architecture to achieve high-speed operation. DDR3 architecture is essen-
tially an 8n-prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words
per clock cycle at the I/O pins. A single read or write access for the DDR3 SDRAM mod-
ule effectively consists of a single 8n-bit-wide, one-clock-cycle data transfer at the inter-
nal DRAM core and eight corresponding n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers
at the I/O pins.
DDR3 modules use two sets of differential signals: DQS, DQS# to capture data and CK
and CK# to capture commands, addresses, and control signals. Differential clocks and
data strobes ensure exceptional noise immunity for these signals and provide precise
crossing points to capture input signals.
Fly-By Topology
DDR3 modules use faster clock speeds than earlier DDR technologies, making signal
quality more important than ever. For improved signal quality, the clock, control, com-
mand, and address buses have been routed in a fly-by topology, where each clock, con-
trol, command, and address pin on each DRAM is connected to a single trace and ter-
minated (rather than a tree structure, where the termination is off the module near the
connector). Inherent to fly-by topology, the timing skew between the clock and DQS sig-
nals can be easily accounted for by using the write-leveling feature of DDR3.
Registering Clock Driver Operation
Registered DDR3 SDRAM modules use a registering clock driver device consisting of a
register and a phase-lock loop (PLL). The device complies with the JEDEC standard
"Definition of the SSTE32882 Registering Clock Driver with Parity and Quad Chip Se-
lects for DDR3 RDIMM Applications."
The register section of the registering clock driver latches command and address input
signals on the rising clock edge. The PLL section of the registering clock driver receives
and redrives the differential clock signals (CK, CK#) to the DDR3 SDRAM devices. The
register(s) and PLL reduce clock, control, command, and address signals loading by iso-
lating DRAM from the system controller.
Parity Operations
The registering clock driver includes an even parity function for checking parity. The
memory controller accepts a parity bit at the Par_In input and compares it with the data
received on A[15:0], BA[2:0], RAS#, CAS#, and WE#. Valid parity is defined as an even
number of ones (1s) across the address and command inputs (A[15:0], BA[2:0], RAS#,
CAS#, and WE#) combined with Par_In. Parity errors are flagged on Err_Out#.
Address and command parity is checked during all DRAM operations and during con-
trol word WRITE operations to the registering clock driver. For SDRAM operations, the
address is still propagated to the SDRAM even when there is a parity error. When writ-
ing to the internal control words of the registering clock driver, the write will be ignored
if parity is not valid. For this reason, systems must connect the Par_In pins on the
DIMM and provide correct parity when writing to the registering clock driver control
word configuration registers.
8GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR3 RDIMM
General Description
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MT36JSF1G72PZ-1G6M1

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MODULE DDR3 SDRAM 8GB 240RDIMM
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