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DD800S33K2CNOSA1

P1-P3P4-P6
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
DD800S33K2C
IGBT-Modul
IGBT-Module
preparedby:MW
approvedby:EO
dateofpublication:2016-06-17
revision:V3.0
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
T
vj
= 25°C
T
vj
= -25°C
V
RRM
3300
3300
V
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
I
F
800 A
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
t
P
= 1 ms I
FRM
1600 A
Grenzlastintegral
I²t-value
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C I²t 220 kA²s
Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation
T
vj
= 125°C P
RQM
1600 kW
Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime
t
on min
10,0 µs
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
I
F
= 800 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 800 A, V
GE
= 0 V
V
F
2,80
2,80
3,50
3,50
V
V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
I
F
= 800 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=125°C)
V
R
= 1800 V
V
GE
= -15 V
I
RM
1100
1300
A
A
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
I
F
= 800 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=125°C)
V
R
= 1800 V
V
GE
= -15 V
Q
r
500
900
µC
µC
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
I
F
= 800 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=125°C)
V
R
= 1800 V
V
GE
= -15 V
E
rec
490
1150
mJ
mJ
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode R
thJC
26,0 K/kW
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiode
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
12,0 K/kW
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
-40 125 °C
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
DD800S33K2C
IGBT-Modul
IGBT-Module
preparedby:MW
approvedby:EO
dateofpublication:2016-06-17
revision:V3.0
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V
ISOL
6,0 kV
Teilentladungs-Aussetzspannung
Partialdischargeextinctionvoltage
RMS, f = 50 Hz, Q
PD
≤ 10 pC (acc. to IEC 1287) V
ISOL
2,6 kV
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DCstability
T
vj
= 25°C, 100 fit V
CE D
1800 V
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
AlSiC
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
AlN
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
32,2
32,2
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
19,1
19,1
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI > 400
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proModul/permodule
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
6,00 K/kW
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
L
sCE
25 nH
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch R
CC'+EE'
0,34 mΩ
Lagertemperatur
Storagetemperature
T
stg
-40 125 °C
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M 4,25 5,75 Nm
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
1,8
8,0
-
-
2,1
10
Nm
Nm
Gewicht
Weight
G 1000 g
Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ800R33KF2C Modul.
Dynamic data valid in conjunction with FZ800R33KF2C module.
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
DD800S33K2C
IGBT-Modul
IGBT-Module
preparedby:MW
approvedby:EO
dateofpublication:2016-06-17
revision:V3.0
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
V
F
[V]
I
F
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=Ω,V
CE
=1800V
I
F
[A]
E [mJ]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
E
rec
, T
vj
= 125°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=800A,V
CE
=1800V
R
G
[Ω]
E [mJ]
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
E
rec
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/kW]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,1
1
10
100
Z
thJC
: Diode
i:
r
i
[K/kW]:
τ
i
[s]:
1
11,7
0,03
2
6,5
0,1
3
1,56
0,3
4
6,24
1
P1-P3P4-P6

DD800S33K2CNOSA1

Mfr. #:
Buy DD800S33K2CNOSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
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