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DD800S33K2CNOSA1

P1-P3P4-P6
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
DD800S33K2C
IGBT-Modul
IGBT-Module
preparedby:MW
approvedby:EO
dateofpublication:2016-06-17
revision:V3.0
SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA)
safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)
I
R
=f(V
R
)
T
vj
=125°C
V
R
[V]
I
R
[A]
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
I
R
, Modul
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
DD800S33K2C
IGBT-Modul
IGBT-Module
preparedby:MW
approvedby:EO
dateofpublication:2016-06-17
revision:V3.0
Schaltplan/Circuitdiagram
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
DD800S33K2C
IGBT-Modul
IGBT-Module
preparedby:MW
approvedby:EO
dateofpublication:2016-06-17
revision:V3.0
Publishedby
InfineonTechnologiesAG
81726München,Germany
©InfineonTechnologiesAG2015.
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DD800S33K2CNOSA1

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Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Lifecycle:
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