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TT251N16KOFKHPSA1

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Technische Information /
technical information
TT251N
Date of Publication 2014-04-09
Revision: 3.2
1/10
Seite/page
Key Parameters
V
DRM
/ V
RRM
1200 1800 V
I
TAVM
250 A (T
C
=85 °C)
3570A (T
C
=55°C)
I
TSM
9100 A
V
T0
0,8 V
r
T

R
thJC
0,124 K/W
Base plate
50 mm
Weight
800 g
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Druckkontakt-Technologie für hohe
Zuverlässigkeit
Pressure contact technology for high reliability
Industrie-Standard-Gehäuse
Industrial standard package
Elektrisch isolierte Bodenplatte
Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Typical Applications
Sanftanlasser
Soft starters
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Rectifier for drives applications
Kurzschließer-Applikationen
Crowbar applications
Leistungssteller
Power controllers
Gleichrichter für UPS
Rectifiers for UBS
Batterieladegleichrichter
Battery chargers
Statische Umschalter
Static switches
content of customer DMX code
DMX code
DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..5
5
SAP material number
6..12
7
Internal production order number
13..20
8
datecode (production year)
21..22
2
datecode (production week)
23..24
2
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
TD
TT
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Technische Information /
technical information
TT251N
Date of Publication 2014-04-09
Revision: 3.2
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
TT251N
TD251N
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
1200
1600
1400
1800
V
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DSM
1200
1600
1400
1800
V
V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
RSM
1300
1700
1500
1900
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM
410
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 85°C
I
TAVM
250
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25°C, t
P
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10ms
I
TSM
9100
8000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C, t
P
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10ms
I²t
414000
320000
A²s
A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/µs
(di
T
/dt)
cr
250
A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter F
(dv
D
/dt)
cr
1000
V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 800 A
v
T
max.
1,4
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
max.
0,8
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
max.
0,7
m
Zündstrom
gate trigger current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V
I
GT
max.
200
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V
V
GT
max.
2,0
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
I
GD
max.
max.
10
5
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,2
V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
A
= 1
I
H
max.
300
mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
GK

i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/µs, t
g
= 20µs
I
L
max.
1200
mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
max.
50
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25°C, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/µs
t
gd
max.
3
µs
prepared by:
HR
date of publication:
2014-04-09
approved by:
ML
revision:
3.1
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Technische Information /
technical information
TT251N
Date of Publication 2014-04-09
Revision: 3.2
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Seite/page
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter O
t
q
typ.
250
µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1min
RMS, f = 50 Hz, t = 1sec
V
ISOL
3,0
3,6
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, = 180° sin
pro Zweig / per arm, = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
0,065
0,130
0,062
0,124
K/W
K/W
K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thCH
max.
max.
0,02
0,04
K/W
K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+130
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)
Basic insulation (class 1, IEC61140)
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
5
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
M2
12
Nm
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46 244
A 2,8 x 0,8
Gewicht
weight
G
typ.
800
g
Kriechstrecke
creepage distance
17
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s²
file-No.
E 83335
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11

TT251N16KOFKHPSA1

Mfr. #:
Buy TT251N16KOFKHPSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
SCR MODULE 1.6KV MODULE
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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