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TT251N16KOFKHPSA1
P1-P3
P4-P6
P7-P9
P10-P11
Netz-T
hyristor-Modul
Phase Control Th
yristor
M
odule
Technische Information /
technical information
TT251N
Date of Publication 20
14-
04
-09
Revision: 3.2
7
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Seite/page
Gehäusetemperatur bei Rechteck
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
P
TAV
[W]
I
TAV
[A
]
DC
180
rec
120
rec
90
rec
60
rec
Q
= 30
rec
180
sin
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P
TAV
= f(I
TAV
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
TAV
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base P
TAV
(switching losses should be considered separately
)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle
20
40
60
80
100
120
140
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
T
C
[°
C]
I
TAVM
[A
]
DC
Q
= 30
rec
60
rec
90
rec
120
rec
180
rec
180
sin
Q
= 30
rec
120
rec
120
rec
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
TAV
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base P
TAV
(switching losses should be considered separately
)
Netz-T
hyristor-Modul
Phase Control Th
yristor
M
odule
Technische Information /
technical information
TT251N
Date of Publication 20
14-
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-09
Revision: 3.2
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0,80
1,20
1,60
2,40
2,40
0
400
800
1200
1600
10
30
50
70
90
110
P
tot
[W]
T
A
[°
C]
R
thCA
[K/W]
0,18
+
-
B2
I
D
~
1,20
0
100
200
300
400
500
600
I
D
[A]
L-Last
L-
load
R-Last
R-
load
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated outp
ut current I
D
B2
- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
W
ärmew
iderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
thCA
0,12
0,18
0,24
0,30
0,36
0,48
0,60
0,72
0,90
1,20
1,60
2,40
3,60
3,60
0
500
1000
1500
2000
10
30
50
70
90
110
P
tot
[W]
T
A
[°
C]
+
-
B6
I
D
3~
R
thCA
[K/W]
,
0
100
200
300
400
500
600
700
800
I
D
[A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated outp
ut current I
D
B6
- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipatio
n at circuit P
tot
Parameter:
W
ärmew
iderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
th
CA
Netz-T
hyristor-Modul
Phase Control Th
yristor
M
odule
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2,00
2,00
2,00
2,00
2,00
0
100
200
300
400
500
600
700
10
30
50
70
90
110
P
tot
[W]
T
A
[°
C]
R
thCA
K/W]
~
~
I
RMS
W
1C
0
100
200
300
400
500
600
I
RMS
[A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
RMS
W
1C - Ein
phasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipatio
n at circuit P
tot
Parameter:
W
ärmew
iderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
thCA
0,12
0,16
0,20
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
1,00
1,40
2,00
3,00
0
500
1000
1500
2000
10
30
50
70
90
110
P
tot
[W]
T
A
[°
C]
~
~
W
3C
~
~
I
RMS
~
~
~
~
W
3C
~
~
I
RMS
~
~
R
thCA
[K/W]
0
100
200
300
400
500
600
I
RMS
[A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
RMS
W
3C - Dreiphasen-
Wechselwegschaltung / Three
-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipatio
n at circuit P
tot
Parameter:
W
ärmew
iderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient R
thCA
P1-P3
P4-P6
P7-P9
P10-P11
TT251N16KOFKHPSA1
Mfr. #:
Buy TT251N16KOFKHPSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
SCR MODULE 1.6KV MODULE
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL
FedEx
Ups
TNT
EMS
Payment:
T/T
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MoneyGram
Western
Union
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TT251N16KOFHPSA1
TT251N16KOFKHPSA1
TT251N12KOFHPSA1
TT251N14KOFHPSA1
TT251N16KOFAHPSA1
TT251N18KOFHPSA1
TD251N14KOFHPSA1
TD251N16KOFHPSA1
TD251N18KOFHPSA1