BC847BS_3 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 18 February 2009 6 of 12
NXP Semiconductors
BC847BS
45 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 4. Per transistor: DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 5. Per transistor: Collector current as a function
of collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=5V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 6. Per transistor: Base-emitter voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 7. Per transistor: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
mgt727
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
0
600
500
400
300
200
100
h
FE
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
054231
006aab422
0.10
0.05
0.15
0.20
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = 4.0
0.8
0.4
3.6
3.2
1.6
2.4
2.8
2.0
1.2
0
1200
1000
800
600
400
200
mgt728
10
−2
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
006aab423
0.6
0.8
0.4
1.0
1.2
V
BEsat
(V)
0.2
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
