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FS100R17KE3BOSA1

P1-P3P4-P6P7-P8
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS100R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:MW
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=125°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V
GE
= 20V
V
GE
= 15V
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
V
GE
= 9V
V
GE
= 8V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
V
GE
[V]
I
C
[A]
5 6 7 8 9 10 11 12 13
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=4Ω,R
Goff
=4Ω,V
CE
=900V
I
C
[A]
E [mJ]
0 25 50 75 100 125 150 175 200
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS100R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:MW
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=100A,V
CE
=900V
R
G
[Ω]
E [mJ]
0 5 10 15 20 25 30 35 40
0
20
40
60
80
100
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,001
0,01
0,1
1
Z
thJC
: IGBT
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,0225
0,01
2
0,0675
0,04
3
0,09
0,06
4
0,045
0,3
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=4Ω,T
vj
=125°C
V
CE
[V]
I
C
[A]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
I
C
, Modul
I
C
, Chip
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
V
F
[V]
I
F
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS100R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:MW
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.0
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=4Ω,V
CE
=900V
I
F
[A]
E [mJ]
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
0
5
10
15
20
25
30
35
40
E
rec
, T
vj
= 125°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(R
G
)
I
F
=100A,V
CE
=900V
R
G
[Ω]
E [mJ]
0 5 10 15 20 25 30 35 40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
E
rec
, T
vj
= 125°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
Z
thJC
=f(t)
t [s]
Z
thJC
[K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,01
0,1
1
Z
thJC
: Diode
i:
r
i
[K/W]:
τ
i
[s]:
1
0,039
0,01
2
0,117
0,04
3
0,156
0,06
4
0,078
0,3
P1-P3P4-P6P7-P8

FS100R17KE3BOSA1

Mfr. #:
Buy FS100R17KE3BOSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
Trench and Field Stop IGBT4un
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
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