OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hello, Sign inMy Account
0 Cart

BCV61C,215

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P12P13-P14
BCV61_4 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 04 — 18 December 2009 6 of 13
NXP Semiconductors
BCV61
NPN general-purpose double transistors
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
V
CE
=5V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 5. BCV61B: DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 6. BCV61B: Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 7. BCV61B: Collector-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
Fig 8. BCV61B: Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
mgt727
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
0
600
500
400
300
200
100
h
FE
(1)
(2)
(3)
0
1200
1000
800
600
400
200
mgt728
10
−2
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
10
4
10
3
10
2
10
mgt729
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
mgt730
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
BCV61_4 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 04 — 18 December 2009 7 of 13
NXP Semiconductors
BCV61
NPN general-purpose double transistors
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
V
CE
=5V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 9. BCV61C: DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 10. BCV61C: Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 11. BCV61C: Collector-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
Fig 12. BCV61C: Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
mgt731
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
h
FE
(1)
(2)
(3)
0
1200
1000
800
600
400
200
mgt732
10
−2
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
10
4
10
3
10
2
10
mgt733
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)(3)
mgt734
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
BCV61_4 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 04 — 18 December 2009 8 of 13
NXP Semiconductors
BCV61
NPN general-purpose double transistors
8. Test information
I
C1
/I
E2
=1.3
Fig 13. Maximum collector-emitter voltage as a function of emitter resistance
mbk082
0
30
10
20
10
−1
1
V
CE1max
(V)
10
R
E
(Ω)
10
2
I
E2
=
1 mA
5 mA
10 mA
50 mA
Fig 14. Test circuit current matching
Fig 15. BCV61 with emitter resistors
006aaa83
1
A
V
CE1
I
C1
TR2TR1
I
E2
=
constant
12
43
006aab9
77
A
V
CE1
I
C1
TR2TR1
I
E2
=
constan
t
12
43
R
E
R
E
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P12P13-P14

BCV61C,215

Mfr. #:
Buy BCV61C,215
Manufacturer:
Nexperia
Description:
Bipolar Transistors - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Products related to this Datasheet