OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hello, Sign inMy Account
0 Cart

BC857CM,315

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11
2004 Mar 10 6
NXP Semiconductors Product data sheet
PNP general purpose transistors BC857M series
GRAPHICAL INFORMATION BC857BM
handbook, halfpage
0
1000
200
400
600
800
MLE192
−10
−2
−10
−1
(1)
−1
I
C
(mA)
h
FE
−10 −10
2
−10
3
(2)
(3)
Fig.6 DC current gain; typical values.
V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
−200
−1200
−400
−600
−800
−1000
MLE193
−10
−2
−10
−1
(1)
−1
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
−10 −10
2
−10
3
(3)
(2)
Fig.7 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
−10
4
−10
3
−10
2
−10
MLE194
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
−10
2
−10
3
(2)
(3)
(1)
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
−200
−1200
−400
−600
−800
−1000
MLE195
−1−10
−1
I
C
(mA)
V
BEsat
(mV)
−10 −10
2
−10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.9 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
2004 Mar 10 7
NXP Semiconductors Product data sheet
PNP general purpose transistors BC857M series
GRAPHICAL INFORMATION BC857CM
handbook, halfpage
0
1000
200
400
600
800
MLE196
−10
−2
−10
−1
(1)
−1
I
C
(mA)
h
FE
−10 −10
2
−10
3
(2)
(3)
Fig.10 DC current gain; typical values.
V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
−200
−1200
−400
−600
−800
−1000
MLE197
−1−10
−1
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
−10 −10
2
−10
3
(2)
(1)
(3)
Fig.11 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
−10
4
−10
3
−10
2
−10
MLE198
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
−10
2
−10
3
(2)
(3)
(1)
Fig.12 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
−200
−1200
−400
−600
−800
−1000
MLE199
−1−10
−1
I
C
(mA)
V
BEsat
(mV)
−10 −10
2
−10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.13 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
2004 Mar 10 8
NXP Semiconductors Product data sheet
PNP general purpose transistors BC857M series
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
1
max.
A
(1)
bb
1
e
1
eLL
1
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC JEDEC JEITA
mm
0.50
0.46
0.20
0.12
0.55
0.47
0.03
0.62
0.55
0.35 0.65
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Including plating thickness
0.30
0.22
0.30
0.22
SOT883 SC-101
03-02-05
03-04-03
DE
1.02
0.95
L
E
2
3
1
b
b
1
A
1
A
D
L
1
0 0.5 1 mm
scale
L
eadless ultra small plastic package; 3 solder lands; body 1.0 x 0.6 x 0.5 mm SOT88
3
e
e
1
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11

BC857CM,315

Mfr. #:
Buy BC857CM,315
Manufacturer:
Nexperia
Description:
Bipolar Transistors - BJT PNP GP 45V 100mA
Lifecycle:
New from this manufacturer.
Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Products related to this Datasheet