BC847BPN_4 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 04 — 18 February 2009 8 of 14
NXP Semiconductors
BC847BPN
45 V, 100 mA NPN/PNP general-purpose transistor
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 10. TR2 (PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 11. TR2 (PNP): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 12. TR2 (PNP): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 13. TR2 (PNP): Base-emitter saturation voltage as
a function of collector current; typical values
006aab425
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
200
400
600
h
FE
0
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0 −5−4−2 −3−1
006aab426
−0.10
−0.05
−0.15
−0.20
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = −3.5
−0.7
−3.15
−2.8
−1.4
−2.1
−2.45
−1.75
−1.05
−0.35
−200
−1200
−400
−600
−800
−1000
mld700
−10
−2
−10
−1
(1)
−1
I
C
(mA)
V
BE
mV
−10 −10
2
−10
3
(3)
(2)
−200
−1200
−400
−600
−800
−1000
mld702
−1−10
−1
I
C
(mA)
V
BEsat
(mV)
−10 −10
2
−10
3
(1)
(3)
(2)
