PBLS6021D_1 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 12 August 2009 8 of 16
NXP Semiconductors
PBLS6021D
60 V, 1.5 A PNP BISS loadswitch
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 5. TR1 (PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 6. TR1 (PNP): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 7. TR1 (PNP): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 8. TR1 (PNP): Base-emitter saturation voltage as
a function of collector current; typical values
006aab523
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0.0 −2.0−1.5−0.5 −1.0
006aab524
−1
−2
−3
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = −30
−27
−21
−18
−15
−12
−9
−24
−6
−3
006aab525
−0.6
−0.8
−0.4
−1.0
−1.2
V
BE
(V)
−0.2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
006aab526
−0.6
−0.8
−0.4
−1.0
−1.2
V
BEsat
(V)
−0.2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
