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DD350N12KHPSA1

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P10
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD350N
Date of Publication 2018-07-30
Revision 3.2
7/10
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200
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500
600
0 100 200 300 400 500 600
P
FAV
[W]
I
FAV
[A]
120rec
180sin
180rec
DC
Θ = 60rec
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P
FAV
= f(I
FAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
20
40
60
80
100
120
140
160
0 100 200 300 400 500 600
T
C
[°C]
I
FAVM
[A]
DC
Θ = 60 rec
120rec
180rec
180sin
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
FAVM
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechungsgrundlage P
TAV
Calculation base P
TAV
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD350N
Date of Publication 2018-07-30
Revision 3.2
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0,020
0,028
0,036
0,050
0,070
0,100
0,140
0,200
0,260
0,360
0,600
1,200
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0 20 40 60 80 100 120 140
P
tot
[W]
T
A
[°C]
+
-
B2
I
D
~
R
thCA
[K/W]
0 100 200 300 400 500 600 700 800
I
D
[A]
L-Last
R-Last
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
D
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
thCA
0,020
0,028
0,034
0,040
0,050
0,060
0,075
0,1000,100
0,130
0,180
0,250
0,350
0,600
0
500
1000
1500
2000
2500
0 20 40 60 80 100 120 140
P
tot
[W]
T
A
[°C]
+
-
B6
I
D
3~
R
thCA
[K/W]
0 200 400 600 800 1000
I
D
[A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
D
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
thCA
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD350N
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1000
10000
0,1 1 10 100
Q
r
[µAs]
-di/dt [A/µs]
i
FM
=
1600A
800A
400A
200A
100A
50A
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di/dt)
T
vj
= T
vjmax
, v
R
≤ 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i
FM
0
2.000
4.000
6.000
8.000
10.000
0,01 0,1 1
I
F(OV)M
[A]
t [s]
a
T
A
= 35 C
b
T
A
= 45 C
Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm I
F(OV)M
= f(t), v
RM
= 0,8 V
RRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm I
FAV(vor)
= I
FAVM
T
a
= 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650)
T
a
= 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (60W)
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P10

DD350N12KHPSA1

Mfr. #:
Buy DD350N12KHPSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
DIODE MODULE GP 1200V 350A
Lifecycle:
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Delivery:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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