Nexperia
BC847 series
45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847_SER All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © Nexperia B.V. 2018. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 10 — 2 March 2017
8 / 16
mgt731
10
- 1
1 10 10
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
h
FE
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= -55 °C
Figure 9. Group C: DC current gain as a function of
collector current; typical values
0
1200
1000
800
600
400
200
mgt732
10
- 2
10
- 1
1 10 10
2
10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= -55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
Figure 10. Group C: Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
10
4
10
3
10
2
10
mgt733
10
- 1
1 10 10
2
10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= -55 °C
Figure 11. Group C: Collector-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical values
mgt734
10
- 1
1 10 10
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= -55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
Figure 12. Group C: Base-emitter saturation voltage as
a function of collector current; typical values
