Nexperia
PBSS4160X
60 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistor
PBSS4160X All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
©
Nexperia B.V. 2017. All rights reserved
Product data sheet 23 May 2017 7 / 12
aaa-026764
0.6
0.3
0.9
1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 7. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
aaa-026765
0.4
0.8
1.2
V
BEsat
(V)
0
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 8. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
aaa-026766
1
10
-1
10
V
CEsat
(V)
10
-2
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 9. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
aaa-026767
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
-1
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 10. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
