FF200R33KF2CNOSA1 Datasheet FF200R33KF2CNOSA1 | P4-P6

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FF200R33KF2C

IGBT-Modul

IGBT-Module

preparedby:SB

approvedby:DTS

dateofpublication:2015-04-13

revision:V2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)

outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)

I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=15V

V

CE

[V]

I

C

[A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0

0

50

100

150

200

250

300

350

400

T

vj

= 25°C

T

vj

= 125°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)

outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)

I

C

=f(V

CE

)

T

vj

=125°C

V

CE

[V]

I

C

[A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0

0

50

100

150

200

250

300

350

400

V

GE

= 20V

V

GE

= 15V

V

GE

= 12V

V

GE

= 10V

V

GE

= 9V

V

GE

= 8V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)

transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)

I

C

=f(V

GE

)

V

CE

=20V

V

GE

[V]

I

C

[A]

5 6 7 8 9 10 11 12 13

0

50

100

150

200

250

300

350

400

T

vj

= 25°C

T

vj

= 125°C

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesIGBT,Inverter(typical)

E

on

=f(I

C

),E

off

=f(I

C

)

V

GE

=±15V,R

Gon

=5.6Ω,R

Goff

=7.5Ω,V

CE

=1800V,C

GE

=33nF

I

C

[A]

E [mJ]

0 50 100 150 200 250 300 350 400

0

200

400

600

800

1000

1200

E

on

, T

vj

= 125°C

E

off

, T

vj

= 125°C

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FF200R33KF2C

IGBT-Modul

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VorläufigeDaten

PreliminaryData

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesIGBT,Inverter(typical)

E

on

=f(R

G

),E

off

=f(R

G

)

V

GE

=±15V,I

C

=200A,V

CE

=1800V,C

GE

=33nF

R

G

[Ω]

E [mJ]

0 10 20 30 40 50 60 70

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

E

on

, T

vj

= 125°C

E

off

, T

vj

= 125°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter

transientthermalimpedanceIGBT,Inverter

Z

thJC

=f(t)

t [s]

Z

thJC

[K/kW]

0,001 0,01 0,1 1 10

1

10

100

1000

Z

thJC

: IGBT

i:

r

i

[K/kW]:

τ

i

[s]:

1

25,65

0,03

2

14,25

0,1

3

3,42

0,3

4

13,68

1

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)

I

C

=f(V

CE

)

V

GE

=±15V,R

Goff

=7.5Ω,T

vj

=125°C,C

GE

=33nF

V

CE

[V]

I

C

[A]

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

I

C

, Modul

I

C

, Chip

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)

forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)

I

F

=f(V

F

)

V

F

[V]

I

F

[A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0

0

50

100

150

200

250

300

350

400

T

vj

= 25°C

T

vj

= 125°C

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IGBT-Module

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approvedby:DTS

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revision:V2.2

VorläufigeDaten

PreliminaryData

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesDiode,Inverter(typical)

E

rec

=f(I

F

)

R

Gon

=5.6Ω,V

CE

=1800V

I

F

[A]

E [mJ]

0 50 100 150 200 250 300 350 400

0

50

100

150

200

250

300

350

400

E

rec

, T

vj

= 125°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesDiode,Inverter(typical)

E

rec

=f(R

G

)

I

F

=200A,V

CE

=1800V

R

G

[Ω]

E [mJ]

0 10 20 30 40 50 60 70

0

50

100

150

200

250

300

350

400

E

rec

, T

vj

= 125°C

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter

transientthermalimpedanceDiode,Inverter

Z

thJC

=f(t)

t [s]

Z

thJC

[K/kW]

0,001 0,01 0,1 1 10

1

10

100

1000

Z

thJC

: Diode

i:

r

i

[K/kW]:

τ

i

[s]:

1

48,6

0,03

2

27

0,1

3

6,48

0,3

4

25,92

1

SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA)

safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)

I

R

=f(V

R

)

T

vj

=125°C

V

R

[V]

I

R

[A]

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

500

I

R

, Modul

FF200R33KF2CNOSA1

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