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D931SH65TXPSA1

P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Technische Information /
technical information
D931SH
Revision: 8.1
Seite/page 1/11
Date of Publication: 2015-04-01
enndaten
Key Parameters
V
RRM
6500 V
I
FAVM
940 A (T
C
=85 °C)
3570A (T
C
=55°C)
I
FSM
16000 A
V
T0
1,99 V
r
T
1,44 mΩ
R
thJC
10 K/kW
Clamping Force
27 … 47 kN
Max. Diameter
100 mm
Contact Diameter
62,8 mm
Height
26 mm
Merkmale
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Hohe DC Sperrstabilität
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hoher Gehäusebruchstrom
Sanftes Ausschaltverhalten bei hohen
Stromsteilheiten
Typische Anwendungen
Mittelspannungsumrichter
Freilaufdiode für IGCT - Applikationen
Freilaufdiode für IGBT - Applikationen
Pulsed Power - Applikationen
content of customer DMX code
DMX code
DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..7
7
SP material number
8..16
9
datecode (production day)
17..18
2
datecode (production year)
19..20
2
datecode (production month)
21..22
2
vT class (optional)
23..26
4
QR class (optional)
27..30
4
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
1 2
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Technische Information /
technical information
D931SH
Revision: 8.1
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Date of Publication: 2015-04-01
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T
vj
= 0°C... T
vj max
V
RRM
6500
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
T
c
= 85°C
I
FRMSM
1480
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 85°C, f=50Hz
T
C
= 70°C, f=50Hz
T
C
= 55°C, f=50Hz
I
FAVM
940
1080
1220
A
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
FSM
16000
A
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I²t
1280
10³ A²s
Max. Ausschaltverluste
max. turn-off losses
T
vj
= T
vjmax
I
FM
= 2500A, V
CL
= 2800V
clamp circuit L
S
≤ 0,25µH
R
CL
= 68, C
CL
= 3µF
D
CL
= 34DSH65
P
RQ
4
MW
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
failure rate < 100
V
R(D)
estimate
value
3200
V
Durchlaßspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 2500A
v
F
typ.
max.
4,82
5,60
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
typ.
max.
1,78
1,99
V
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
typ.
max.
1,21
1,44
mΩ
mΩ
Durchlaßkennlinie 200A i
F
3000A
on-state characteristic
T
vj
= T
vj max
typ.
A
0,702
B
0,000412
C
-0,0354
D
0,0673
max.
A
0,739
B
0,00019
C
-0,1355
D
0,1084
Spitzenwert der Durchlassverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
T
vj
= T
vjmax
, d
iF
/dt = 5000A/µs
I
FM
= 4000A
V
FRM
typ.
430
V
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
i
R
max.
100
mA
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
T
vj
= T
vjmax
I
FM
= 2500A, V
CL
= 2800V,
-di/dt = 1000A/µs
clamp circuit L
S
≤ 0,25µH,
R
CL
= 68Ω, C
CL
= 3µF,
D
CL
= 34DSH65,
Q
r
max.
3,5
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
max.
1300
A
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
W
RQ
max.
8
Ws
Abklingsanftheit
reverse recovery softness factor
T
vj
= T
vjmax
I
FM
= 2500A, V
R
= 2800 V,
-di
rr
/dt
(i=0)
rf
= 200ns
F
RRS
typ.
1,6
prepared by:
TM
date of publication:
2015-04-01
approved by:
JP
revision:
8.1
F
FFF
iD1)i(LnCiBAv
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Technische Information /
technical information
D931SH
Revision: 8.1
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Date of Publication: 2015-04-01
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
11,1
10,0
17,4
23,6
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
max.
max.
3,0
6,0
K/kW
K/kW
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
140
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
0...+140
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
27...45
kN
Gewicht
weight
G
typ.
850
g
Kriechstrecke
creepage distance
30
mm
Luftstrecke
air distance
17
mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s²
P1-P3P4-P6P7-P9P10-P11

D931SH65TXPSA1

Mfr. #:
Buy D931SH65TXPSA1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Description:
DIODE GEN PURP 6.5KV 1220A
Lifecycle:
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Delivery:
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Payment:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

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