BCV62 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 4 — 26 July 2010 7 of 14
NXP Semiconductors
BCV62
PNP general-purpose double transistors
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 9. BCV62C: DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 10. BCV62C: Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 11. BCV62C: Collector-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
Fig 12. BCV62C: Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
mgt719
0
400
600
800
1000
h
FE
200
−10
−2
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
mgt720
0
−1200
−1000
−800
−600
−400
−200
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
mgt721
−10
4
−10
3
−10
2
−10
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
mgt722
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
I
C
(mA)
0
−1200
−1000
−800
−600
−400
−200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
