PHPT60603NYX Datasheet PHPT60603NYX | P7-P9

NXP Semiconductors

PHPT60603NY

60V, 3 A NPN high power bipolar transistor

Product data sheet 10 January 2014 6 / 15

10. Characteristics

Table 7. Characteristics

Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit

V

CB

= 48 V; I

E

= 0 A; T

amb

= 25 °C - - 100 nAI

CBO

collector-base cut-off

current

V

CB

= 48 V; I

E

= 0 A; T

j

= 150 °C - - 50 µA

I

CES

collector-emitter cut-off

current

V

CE

= 48 V; V

BE

= 0 V; T

amb

= 25 °C - - 100 nA

I

EBO

emitter-base cut-off

current

V

EB

= 7 V; I

C

= 0 A; T

amb

= 25 °C - - 100 nA

V

CE

= 2 V; I

C

= 500 mA; T

amb

= 25 °C 200 400 -

V

CE

= 2 V; I

C

= 1 A; t

p

≤ 300 µs;

δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C

200 330 -

V

CE

= 2 V; I

C

= 2 A; t

p

≤ 300 µs;

δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C

100 180 -

h

FE

DC current gain

V

CE

= 2 V; I

C

= 3 A; t

p

≤ 300 µs;

δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C; pulsed

50 100 -

I

C

= 1 A; I

B

= 50 mA; t

p

≤ 300 µs;

δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C; pulsed

- 70 120 mVV

CEsat

collector-emitter

saturation voltage

- 180 270 mV

R

CEsat

collector-emitter

saturation resistance

I

C

= 3 A; I

B

= 300 mA; pulsed;

t

p

≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C

- 60 90 mΩ

I

C

= 1 A; I

B

= 100 mA; pulsed;

t

p

≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C

- 0.86 1 VV

BEsat

base-emitter saturation

voltage

I

C

= 2 A; I

B

= 200 mA; pulsed;

t

p

≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T

amb

= 25 °C

- 1 1.2 V

V

BEon

base-emitter turn-on

voltage

V

CE

= 2 V; I

C

= 0.1 A; T

amb

= 25 °C - 0.65 0.85 V

t

d

delay time - 15 - ns

t

r

rise time - 120 - ns

t

on

turn-on time - 135 - ns

t

s

storage time - 800 - ns

t

f

fall time - 300 - ns

t

off

turn-off time

V

CC

= 12.5 V; I

C

= 1 A; I

Bon

= 0.05 A;

I

Boff

= -0.05 A; T

amb

= 25 °C

- 1100 - ns

f

T

transition frequency V

CE

= 10 V; I

C

= 100 mA; f = 100 MHz;

T

amb

= 25 °C

- 140 - MHz

C

c

collector capacitance V

CB

= 10 V; I

E

= 0 A; i

e

= 0 A;

f = 1 MHz; T

amb

= 25 °C

- 17 - pF

NXP Semiconductors

PHPT60603NY

60V, 3 A NPN high power bipolar transistor

Product data sheet 10 January 2014 7 / 15

aaa-010143

200

400

600

h

FE

0

I

C

(mA)

10

-1

10

4

10

3

1 10

2

10

(1)

(3)

(2)

V

CE

= 1 V

(1) T

amb

= 100 °C

(2) T

amb

= 25 °C

(3) T

amb

= −55 °C

Fig. 4. DC current gain as a function of collector

current; typical values

V

CE

(V)

0 542 31

aaa-010176

2

3

1

4

5

I

C

(A)

0

I

B

= 50 mA

40

35

45

15

10

5

20

2

5

3

0

T

amb

= 25 °C

Fig. 5. Collector current as a function of collector-

emitter voltage; typical values

aaa-010144

0.8

0.4

1.2

1.6

V

BE

(V)

0

I

C

(mA)

10

-1

10

4

10

3

1 10

2

10

(1)

(3)

(2)

V

CE

= −2 V

(1) T

amb

= −55 °C

(2) T

amb

= 25 °C

(3) T

amb

= 100 °C

Fig. 6. Base-emitter voltage as a function of collector

current; typical values

aaa-010174

0.6

1

1.4

V

BEsat

(V)

0.2

I

C

(mA)

10

-1

10

4

10

3

1 10

2

10

(1)

(2)

(3)

I

C

/I

B

= 20

(1) T

amb

= −55 °C

(2) T

amb

= 25 °C

(3) T

amb

= 100 °C

Fig. 7. Base-emitter saturation voltage as a function of

collector current; typical values

NXP Semiconductors

PHPT60603NY

60V, 3 A NPN high power bipolar transistor

Product data sheet 10 January 2014 8 / 15

aaa-010145

10

-1

10

-2

1

V

CEsat

(V)

10

-3

I

C

(mA)

10

-1

10

4

10

3

1 10

2

10

(1)

(2)

(3)

I

C

/I

B

= 20

(1) T

amb

= 100 °C

(2) T

amb

= 25 °C

(3) T

amb

= −55 °C

Fig. 8. Collector-emitter saturation resistance as a

function of collector current; typical values

aaa-010173

I

C

(mA)

10

-1

10

4

10

3

1 10

2

10

-2

10

-1

1

10

V

CEsat

(V)

10

-3

(1)

(3)

(2)

T

amb

= 25 °C

(1) I

C

/I

B

= 50

(2) I

C

/I

B

= 20

(3) I

C

/I

B

= 10

Fig. 9. Collector-emitter saturation resistance as a

function of collector current; typical values

I

C

(mA)

10

-1

10

4

10

3

1 10

2

10

aaa-010175

1

10

-1

10

2

10

3

R

CEsat

(Ω)

10

-2

(1)

(2)

(3)

I

C

/I

B

= 20

(1) T

amb

= 100 °C

(2) T

amb

= 25 °C

(3) T

amb

= −55 °C

Fig. 10. Collector-emitter saturation voltage as a

function of collector current; typical values

I

C

(mA)

10

-1

10

4

10

3

1 10

2

10

aaa-010177

1

10

-1

10

2

10

3

R

CEsat

(Ω)

10

-2

(1)

(3)

(2)

T

amb

= 25 °C

(1) I

C

/I

B

= 50

(2) I

C

/I

B

= 20

(3) I

C

/I

B

= 10

Fig. 11. Collector-emitter saturation voltage as a

function of collector current; typical values

PHPT60603NYX

PHPT60603NYX

Products related to this Datasheet