NXP Semiconductors
PQMD3
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ
PQMD3 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP Semiconductors N.V. 2015. All rights reserved
Product data sheet 26 October 2015 7 / 17
I
C
(mA)
10
-1
10
2
101
006aac768
10
2
10
10
3
h
FE
1
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= -40 °C
Fig. 4. NPN transistor: DC current gain as a function of
collector current; typical values
V
CE
(V)
0 542 31
aaa-018663
0.04
0.06
0.02
0.08
0.1
I
C
(A)
0
I
B
= 0.06 mA
0.12 mA
0.18 mA
0.24 mA
0.30 mA
0.36 mA
0.60 mA
0.48 mA
0.42 mA
0.54 mA
T
amb
= 25 °C
Fig. 5. NPN transistor: Collector current as a function
of collector-emitter voltage; typical values
I
C
(mA)
1 10
2
10
006aac769
10
-1
1
V
CEsat
(V)
10
-2
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= -40 °C
Fig. 6. NPN transistor: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
006aac770
I
C
(mA)
10
-1
10
2
101
1
10
V
I(on)
(V)
10
-1
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 0.3 V
(1) T
amb
= -40 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 7. NPN transistor: On-state input voltage as a
function of collector current; typical values
