MT18VDDT12872AG-40BJ1

Draft 9/ 9/ 2008
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DD18C64_128x72A.fm - Rev. D 9/08 EN
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512MB, 1GB (x72, ECC, DR) 184-Pin DDR SDRAM UDIMM
Pin Assignments and Descriptions
Table 6: Pin Descriptions
Symbol Type Description
A0–A12 Input Address inputs: Provide the row address for ACTIVE commands, and the
column address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to
select one location out of the memory array in the respective device bank. A10
sampled during a PRECHARGE command determines whether the PRECHARGE
applies to one device bank (A10 LOW, device bank selected by BA0, BA1) or all
device banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code during a
MODE REGISTER SET command. BA0 and BA1 define which mode register
(mode register or extended mode register) is loaded during the LOAD MODE
REGISTER command.
BA0, BA1 Input Bank address: BA0 and BA1 define the device bank to which an ACTIVE,
READ, WRITE, or PRECHARGE command is being applied.
CK0, CK0#,
CK1, CK1#,
CK2, CK2#
Input Clock: CK and CK# are differential clock inputs. All control, command, and
address input signals are sampled on the crossing of the positive edge of CK
and the negative edge of CK#. Output data (DQ and DQS) is referenced to the
crossings of CK and CK#.
CKE0, CKE1 Input Clock enable: CKE enables (registered HIGH) and CKE disables (registered
LOW) the internal clock, input buffers, and output drivers.
DM0–DM8 Input Input data mask: DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write
access. DM is sampled on both edges of DQS. Although DM pins are input-only,
the DM loading is designed to match that of DQ and DQS pins.
RAS#, CAS#, WE# Input Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command
being entered.
S0#, S1# Input Chip selects: S# enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the
command decoder.
SA0–SA2 Input Presence-detect address inputs: These pins are used to configure the SPD
EDPROM address range on the I
2
C bus.
SCL Input Serial clock for presence-detect: SCL is used to synchronize the presence-
detect data transfer to and from the module.
CB0–CB7 I/O Check bits.
DQ0–DQ63 I/O Data input/output: Data bus.
DQS0–DQS8 I/O Data strobe: Output with read data. Edge-aligned with read data. Input with
write data. Center-aligned with write data. Used to capture data.
SDA I/O Serial data: SDA is a bidirectional pin used to transfer addresses and data into
and out of the presence-detect portion of the module.
Vdd/VddQ Supply Power supply: +2.5V ±0.2V (-40B: +2.6V ±0.1V).
Vddspd Supply SPD EEPROM power supply: +2.3V to +3.6V.
Vref Supply SSTL_2 reference voltage (Vdd/2).
Vss Supply Ground.
NC No connect: These pins are not connected on the module.
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Functional Block Diagram
Functional Block Diagram
Figure 2: Functional Block Diagram
A0
SA0
SPD EEPROM
SDA
A1
SA1
A2
SA2
BA0, BA1
A0–A12
RAS#
BA0, BA1: DDR SDRAM
A0–A12: DDR SDRAM
RAS#: DDR SDRAM
CAS#: DDR SDRAM
WE#: DDR SDRAM
CKE0: DDR SDRAM U1, U3, U5, U7, U9, U11, U13, U15, U17
CKE1: DDR SDRAM U2, U4, U6, U8, U10, U12, U14, U16, U18
CAS#
WE#
CKE0
CKE1
Vref
Vss
DDR SDRAM
DDR SDRAM
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
U9
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
U7
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
U13
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
U5
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
U15
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
U17
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DM CS# DQS
U1
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DM0
S0#
U3
WP
SCL
U18
U2
U16
U6
S1#
DM CS# DQS
DM CS# DQS DM CS# DQS
DM CS# DQS DM CS# DQS
DM CS# DQS
DQS0
DM4
DQS4
DM1
DQS1
DM5
DQS5
U12
DM CS# DQS
DM2
DQS2
DM6
DQS6
DM CS# DQS
DM CS# DQS
U11
U8
DM CS# DQS
DM CS# DQS
DM CS# DQS DM CS# DQS
DM CS# DQS
DM3
DQS3
DM7
DQS7
U4
DM CS# DQS
U10
DM CS# DQS
DM8
DQS8
U14
DM CS# DQS
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
Vdd/VddQ
DDR SDRAM
U4–U6,
U13–U15
CK0
CK0#
U1–U3,
U16–U18
CK1
CK1#
U7–U12
CK2
CK2#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
Vddspd
SPD EEPROM
U19
V
SS
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512MB, 1GB (x72, ECC, DR) 184-Pin DDR SDRAM UDIMM
General Description
General Description
The MT18VDDT6472A and MT18VDDT12872A are high-speed CMOS dynamic random
access 512MB and 1GB memory modules are organized in a x72 configuration. These
modules use DDR SDRAM devices with four internal banks.
DDR SDRAM modules use a double data rate architecture to achieve high-speed opera-
tion. The double data rate architecture is essentially a 2n-prefetch architecture with an
interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. A single
read or write access for DDR SDRAM modules effectively consists of a single
2n-bit-wide, one-clock-cycle data transfer at the internal DRAM core and two corre-
sponding n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O pins.
A bidirectional data strobe (DQS) is transmitted externally, along with data, for use in
data capture at the receiver. DQS is a strobe transmitted by the DDR SDRAM during
READs and by the memory controller during WRITEs. DQS is edge-aligned with data for
READs and center-aligned with data for WRITEs.
DDR SDRAM modules operate from differential clock inputs (CK and CK#); the crossing
of CK going HIGH and CK# going LOW will be referred to as the positive edge of CK.
Commands are registered at every positive edge of CK. Input data is registered on both
edges of DQS, and output data is referenced to both edges of DQS, as well as to both
edges of CK.
Serial Presence-Detect Operation
DDR SDRAM modules incorporate serial presence-detect. The SPD data is stored in a
256-byte EEPROM. The first 128 bytes are programmed by Micron to identify the module
type and various DDR SDRAM organizations and timing parameters. The remaining 128
bytes of storage are available for use by the customer. System READ/WRITE operations
between the master (system logic) and the slave EEPROM device occur via a standard
I
2
C bus using the DIMM’s SCL (clock) and SDA (data) signals, together with SA[2:0],
which provide eight unique DIMM/EEPROM addresses. Write protect (WP) is connected
to V
SS, permanently disabling hardware write protect.

MT18VDDT12872AG-40BJ1

Mfr. #:
Manufacturer:
Micron
Description:
MODULE DDR SDRAM 1GB 184UDIMM
Lifecycle:
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