MT8VDDT6464HY-335J1

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DD8C32_64x64H.fm - Rev. D 9/08 EN
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256MB, 512MB (x64, SR) 200-Pin DDR SDRAM SODIMM
Pin Assignments and Descriptions
Table 6: Pin Descriptions
Symbol Type Description
A0–A12 Input
Address inputs: Provide the row address for ACTIVE commands, and the
column address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to
select one location out of the memory array in the respective device bank. A10
sampled during a PRECHARGE command determines whether the PRECHARGE
applies to one device bank (A10 LOW, device bank selected by BA0, BA1) or all
device banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code during a
MODE REGISTER SET command. BA0 and BA1 define which mode register
(mode register or extended mode register) is loaded during the LOAD MODE
REGISTER command.
BA0, BA1 Input
Bank address: BA0 and BA1 define the device bank to which an ACTIVE,
READ, WRITE, or PRECHARGE command is being applied.
CK0, CK0#,
CK1, CK1#
Input
Clock: CK and CK# are differential clock inputs. All control, command, and
address input signals are sampled on the crossing of the positive edge of CK
and the negative edge of CK#. Output data (DQ and DQS) is referenced to the
crossings of CK and CK#.
CKE0 Input
Clock enable: CKE enables (registered HIGH) and CKE disables (registered
LOW) the internal clock, input buffers, and output drivers.
DM0–DM7 Input
Input data mask: DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write
access. DM is sampled on both edges of DQS. Although the DM pins are input-
only, the DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins. If
RDQS is disabled, DQS9–DQS17 become DM0–DM8 and DQS9#–DQS17# are
not used.
RAS#, CAS#, WE# Input
Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command
being entered.
S0# Input
Chip selects: S# enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the
command decoder.
SA0–SA2 Input
Presence-detect address inputs: These pins are used to configure the SPD
EEPROM address range on the I
2
C bus.
SCL Input
Serial clock for SPD EEPROM: SCL is used to synchronize the presence-detect
data transfer to and from the module.
DQ0–DQ63 I/O
Data input/output: Data bus.
DQS0–DQS7 I/O
Data strobe: Output with read data. Edge-aligned with read data. Input with
write data. Center-aligned with write data. Used to capture data.
SDA I/O
Serial data: SDA is a bidirectional pin used to transfer addresses and data into
and out of the presence-detect portion of the module.
V
DD Supply
Power supply: +2.5V ±0.2V (-40B: +2.6V ±0.1V).
V
DDSPD Supply
Serial EEPROM power supply: +2.3V to +3.6V.
V
REF Supply
SSTL_2 reference voltage (VDD/2).
V
SS Supply
Ground.
NC
No connect: These pins are not connected on the module.
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256MB, 512MB (x64, SR) 200-Pin DDR SDRAM SODIMM
Functional Block Diagrams
Functional Block Diagrams
Figure 2: Functional Block Diagram – Layout 1 (256MB)
A0
SA0
SPD EEPROM
SDA
A1
SA1
A2
SA2
BA0, BA1
A0–A12
RAS#
WE#
CKE0
CAS#
BA0, BA1: DDR SDRAM
A0–A12: DDR SDRAM
RAS#: DDR SDRAM
WE#: DDR SDRAM
CKE0: DDR SDRAM
CAS#: DDR SDRAM
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
U8
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
U6
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
U5
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
U4
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
U2
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DM CS# DQS
U1
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DM0
S0#
U3
WP
SCL
DM CS# DQS
DM CS# DQS
DM CS# DQS
DQS0
DM1
DQS1
DM2
DQS2
DM3
DQS3
DM4
DQS4
DM5
DQS5
DM CS# DQS
U7
DM CS# DQS
DM CS# DQS DM CS# DQS
DM6
DQS6
DM7
DQS7
VDDSPD
VDD
VREF
VSS
SPD EEPROM
DDR SDRAM
DDR SDRAM
DDR SDRAM
DDR SDRAM
U1, U2, U5, U6
CK0
CK0#
DDR SDRAM
U3, U4, U7, U8
CK1
CK1#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
VSS
U9
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256MB, 512MB (x64, SR) 200-Pin DDR SDRAM SODIMM
Functional Block Diagrams
Figure 3: Functional Block Diagram – Layout 2 (256MB, 512MB)
A0
SA0
SPD EEPROM
SDA
A1
SA1
A2
SA2
BA0, BA1
A0–A12
RAS#
WE#
CKE0
CAS#
BA0, BA1: DDR SDRAM
A0–A12: DDR SDRAM
RAS#: DDR SDRAM
WE#: DDR SDRAM
CKE0: DDR SDRAM
CAS#: DDR SDRAM
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
U5
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
U7
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
U8
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
U4
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
U2
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DM CS# DQS
U1
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DM0
S0#
U3
WP
SCL
DM CS# DQS
DM CS# DQS
DM CS# DQS
DQS0
DM1
DQS1
DM2
DQS2
DM3
DQS3
DM4
DQS4
DM5
DQS5
DM CS# DQS
U6
DM CS# DQS
DM CS# DQS DM CS# DQS
DM6
DQS6
DM7
DQS7
VDDSPD
VDD
VREF
VSS
SPD EEPROM
DDR SDRAM
DDR SDRAM
DDR SDRAM
DDR SDRAM
U1, U2, U7, U8
CK0
CK0#
DDR SDRAM
U3, U4, U5, U6
CK1
CK1#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
VSS
U9

MT8VDDT6464HY-335J1

Mfr. #:
Manufacturer:
Micron
Description:
MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
Lifecycle:
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