MT36HTS51272Y-53EA2

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HT36HTJ51272.fm - Rev. B 7/06 EN
4 ©2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
4GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR2 SDRAM RDIMM
Functional Block Diagram
Functional Block Diagram
Figure 2: Functional Block Diagram
Notes: 1. All pull down resistors are 10KΩ and all series resistors are 22Ω, unless otherwise noted.
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ
DQ
DQ
DQ
U1b
U1t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ
DQ
DQ
DQ
U22b
U22t
DM CS# DQS DQS#
DQS0
DQS0#
DQS9
DQS9#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ
DQ
DQ
DQ
U2b
U2t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ
DQ
DQ
DQ
U21b
U22t
DM CS# DQS DQS#
DQS1
DQS1#
DQS10
DQS10#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ
DQ
DQ
DQ
U3b
U3t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ
DQ
DQ
DQ
U20b
U20t
DM CS# DQS DQS#
DQS2
DQS2#
DQS11
DQS11#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ
DQ
DQ
DQ
U4b
U4t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ
DQ
DQ
DQ
U19b
U19t
DM CS# DQS DQS#
DQS3
DQS3#
DQS12
DQS12#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
CB0
CB1
CB2
CB3
DQ
DQ
DQ
DQ
U5b
U5t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
CB4
CB5
CB6
CB7
DQ
DQ
DQ
DQ
U18b
U18t
DM CS# DQS DQS#
DQS8
DQS8#
DQS17
DQS17#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ
DQ
DQ
DQ
U9b
U9t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ
DQ
DQ
DQ
U16b
U16t
DM CS# DQS DQS#
DQS4
DQS4#
DQS13
DQS13#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ
DQ
DQ
DQ
U10b
U10t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ
DQ
DQ
DQ
U15b
U15t
DM CS# DQS DQS#
DQS5
DQS5#
DQS14
DQS14#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ
DQ
DQ
DQ
U11b
U11t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ
DQ
DQ
DQ
U14b
U14t
DM CS# DQS DQS#
DQS6
DQS6#
DQS15
DQS15#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ
DQ
DQ
DQ
U12b
U12t
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ
DQ
DQ
DQ
U13b
U13t
DM CS# DQS DQS#
DQS7
DQS7#
DQS16
DQS16#
A0
Serial PD
A1
A2
SA0 SA1
SA2
WP
PLL
CK0
CK0#
120
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
REGISTER x 2
RESET#
U8
VREF
VSS
DDR2 SDRAMs
DDR2 SDRAMs
VDD
DDR2 SDRAMs
VDDSPD
Serial PD/EEPROM
V
DDQ
DDR2 SDRAMs
U6, U17
U7
VSS
RS0#
RS1#
Rank 0 = U1b-U5b, U9b-U16b, U18b-U22b
Rank 1 = U1t-U5t, U9t-U16t, U18t-U22t
R
E
G
I
S
T
E
R
S
PAR_IN
S0#
S1#
BA0–BA2
A0–A13
RAS#
CAS#
WE#
CKE0
CKE1
ODT0
ODT1
RESET#
CK
CK#
ERR_OUT
RS0#: Rank 0
RS1#: Rank 1
RBA0–RBA2: DDR2 SDRAM
RA0–RA13: DDR2 SDRAM
RRAS#: DDR2 SDRAM
RCAS#: DDR2 SDRAM
RWE#: DDR2 SDRAM
RCKE0: Rank 0
RCKE1: Rank 1
RODT0: Rank 0
RODT1: Rank 1
SDASCL
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4GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR2 SDRAM RDIMM
General Description
General Description
The MT36HTJ51272 DDR2 SDRAM module is a high-speed, CMOS, dynamic random-
access 4GB memory module organized in a x72 configuration. This DDR2 SDRAM
module uses internally configured 8-bank (1Gb) DDR2 SDRAM devices.
DDR2 SDRAM modules use double data rate architecture to achieve high-speed opera-
tion. The double data rate architecture is essentially a 4n-prefetch architecture with an
interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. A single
read or write access for the DDR2 SDRAM module effectively consists of a single 4n-bit-
wide, one-clock-cycle data transfer at the internal DRAM core and four corresponding
n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O pins.
A bidirectional data strobe (DQS, DQS#) is transmitted externally, along with data, for
use in data capture at the receiver. DQS is a strobe transmitted by the DDR2 SDRAM
device during READs and by the memory controller during WRITEs. DQS is edge-
aligned with data for READs and center-aligned with data for WRITEs.
DDR2 SDRAM modules operate from a differential clock (CK and CK#); the crossing of
CK going HIGH and CK# going LOW will be referred to as the positive edge of CK.
Commands (address and control signals) are registered at every positive edge of CK.
Input data is registered on both edges of DQS, and output data is referenced to both
edges of DQS, as well as to both edges of CK.
PLL and Register Operation
DDR2 SDRAM modules operate in registered mode, where the command/address input
signals are latched in the registers on the rising clock edge and sent to the DDR2 SDRAM
devices on the following rising clock edge (data access is delayed by one clock cycle). A
phase-lock loop (PLL) on the module receives and redrives the differential clock signals
(CK, CK#) to the DDR2 SDRAM devices. The registers and PLL minimize system and
clock loading. PLL clock timing is defined by JEDEC specifications and ensured by use of
the JEDEC clock reference board. Registered mode will add one clock cycle to CL.
Serial Presence-Detect Operation
DDR2 SDRAM modules incorporate serial presence-detect (SPD). The SPD function is
implemented using a 2,048-bit EEPROM. This nonvolatile storage device contains 256
bytes. The first 128 bytes can be programmed by Micron to identify the module type and
various SDRAM organizations and timing parameters. The remaining 128 bytes of
storage are available for use by the customer. System READ/WRITE operations between
the master (system logic) and the slave EEPROM device occur via a standard I
2
C bus
using the DIMM’s SCL (clock) and SDA (data) signals, together with SA (2:0), which
provide eight unique DIMM/EEPROM addresses. Write protect (WP) is tied to ground on
the module, permanently disabling hardware write protect.
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Electrical Specifications
Electrical Specifications
Stresses greater than those listed in Table 6 may cause permanent damage to the device.
This is a stress rating only, and functional operation of the device at these or any other
conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not
implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may
affect reliability.
Capacitance
At DDR2 data rates, Micron encourages designers to simulate the performance of the
module to achieve optimum values. When inductance and delay parameters associated
with trace lengths are used in simulations, they are significantly more accurate and real-
istic than a gross estimation of module capacitance. Simulations can then render a
considerably more accurate result. JEDEC modules are now designed by using simula-
tions to close timing budgets.
IDD Specifications
Table 6: Absolute Maximum DC Ratings
Symbol Parameter Min Max Units
V
DD
VDD supply voltage relative to VSS
–1.0 2.3 V
V
DDQ
VDDQ supply voltage relative to VSS
–0.5 2.3 V
V
DDL
VDDL supply voltage relative to Vss
–0.5 2.3 V
V
IN, VOUT
Voltage on any pin relative to VSS
–0.5 2.3 V
T
STG
Storage temperature
–55 100 °C
T
case
DDR2 SDRAM device operating temperature (ambient)
085°C
T
OPR
Operating temperature (ambient)
065°C
I
I
Input leakage current; Any input 0V VIN VDD; VREF
input 0V V
IN 0.95V; (All other pins not under test =
0V)
Command/Address,
RAS#, CAS#, WE# S#,
CKE
–5 5 µA
CK, CK#
–10 10
I
OZ
Output leakage current; 0V VOUT VDDQ; DQs and
ODT are disabled
DQ, DQS, DQS#
–10 10 µA
I
VREF
VREF leakage current; VREF = Valid VREF level
–72 72 µA
Table 7: DDR2 IDD Specifications and Conditions – 4GB
Values shown for MT47H256M4 DDR2 SDRAM only and are computed from values specified in the 1Gb
(256 Meg x 4) component data sheet
Parameter/Condition Symbol -667 -53E -40E Units
Operating one bank active-precharge current:
t
CK =
t
CK (IDD),
t
RC =
t
RC (IDD),
t
RAS =
t
RAS MIN (IDD); CKE is HIGH, S# is HIGH between valid
commands; Address bus inputs are switching; Data bus inputs are
switching
I
DD0
a
1,746 1,566 1,386 mA
Operating one bank active-read-precharge current: I
OUT = 0mA;
BL = 4, CL = CL (I
DD), AL = 0;
t
CK =
t
CK (IDD),
t
RC =
t
RC (IDD),
t
RAS =
t
RAS
MIN (I
DD),
t
RCD =
t
RCD (IDD); CKE is HIGH, S# is HIGH between valid
commands; Address bus inputs are switching; Data pattern is same as
I
DD4W
I
DD1
a
1,926 1,836 1,566 mA

MT36HTS51272Y-53EA2

Mfr. #:
Manufacturer:
Micron
Description:
MODULE DDR2 SDRAM 4GB 240FBDIMM
Lifecycle:
New from this manufacturer.
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